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什么是I类半导体,P型半导体和N型半导体?

2018年06月13日 17:06 来源:网上

(1)I型半导体是完全纯净或结构完整的半导体,是完全由基质原子组成的晶体。在决对零度时,不受外界影响的情况下,导带没有电子,价带也没有空穴,因此不能导电。在热运动或外界的影响下,价电子跃迁到导带,产生自由电子和空穴,构成导电载流子。

(2)在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。对N型半导体,施主杂质中的电子只要获得很小的能量,就能脱离原子而参加导电,由于导带中的电子在导电中起主要作用,因此也称为“电子型半导体”。它是靠自由电子导电,掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能也就越强。N型半导体中,自由电子称为多数载流子;空穴称为少数载流子.在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体。P型半导体是以空穴为主导电的半导体,这样的半导体也称为“空穴型半导体”。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能也就越强。P型半导体中空穴是多数载流子,主要由掺杂形成;电子是少数载流子,由热激发形成。


在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 ( 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极,N型接负极,N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动,且阻挡层变薄接触电位差变小,即电阻变小,可形成较大电流;反之当P型接负极,N型接正极,因为P半导体缺壳粒,热运动也难分离出壳粒往正极运动,且阻挡层变厚接触电位差变大,电阻变大,形成较小电流,即具有单向通过电流属性。 ) 


多子与少子是相对概念。 

如:在N型半导体中自由电子是多数载流子,简称为“多子”;空穴为小数载流子,称为“少子”。而在P型中则相反。 

----考试的话,答概念就可以了,具体的作用过程你就不用记了。

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